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卒論要旨を書いて進捗発表をした。
夜は食堂で和定食を食べて、バッティングセンターに行ってから帰った。
卒論をそろそろ書き始めたい。
二次元電子系の話に少しだけ興味があるので、かじっていきたい。
ここにも載せるつもりです。
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上の人から返ってきた卒論要旨が赤く染まっていた。
頑張ろうと思った一日だった。
以上。
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卒論の要旨第2稿を書き終わったので上の人に提出した。
進捗報告のスライドを作らなければ。
件の論文。再掲。
高品質な複層ペンタセン薄膜を作って、界面付近の膜(2層目まで)の影響とその上に積んである膜の影響を分離できたってのが肝な気がする。
従来の多結晶薄膜とかだと調べることができない、っていうよくある筋書きの論文だった。
図がたくさん載ってて理解がしやすかった。計算のところの軌道の重なりを示した図は特に分かりやすかった。
2層目がホッピング伝導を示して、3層目以降がbandlikeな伝導を示すのが良く分かった。
あとキャリアの種類がどこにも書いてなかった(と思う)のだけど、ペンタセンって有名なp型半導体らしい。初めて知った。ペンタセンのHOMOに正孔が注入されるらしい。
移動度が従来の報告に比べれば非常に高かった。5.2とか。
親しみのない分野の論文だったので初めて聞く言葉がちょこちょこあった。メモ代わりに書いてみる。
Poole–Frenkel effect - Wikipedia, the free encyclopedia
おわり。
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修論発表の手伝いをした。時計で時間を測っていただけだけど。
最近は色々あって疲れるが、2時間くらいうーうー言ってると何とかなる気がしてくる。それに酒があれば何でも乗り越えられる気がしている。
今日はPRLから。まだ読み途中。
ファンデルワールスエピタキシー法(VDWE)を用いて、BN基板上にペンタセンをエピ成長させたことに関する論文。
エピタキシャル成長とVDWEについてはこちら。
VDWEについて – Welcome to Van Der Waals Epitaxy!
BNみたいな層状物質を基板として使えば、ダングリングボンドが存在しないおかげで基板と蒸着物質の間にファンデルワールス力しか働かず、たとえ格子不整合が大きくても異種層状物質あるいは有機分子性結晶の質の良いエピ膜を作れる。
また、表面にダングリングボンドが存在していても、それを不活性化させることができればVDWEができる……ということらしい。
論文では、結晶性の良い数層のペンタセン薄膜を使って2次元伝導の限界を調べている。理論計算もやっているみたいで面白い。
読み終わったらまたまとめたい。
